俄称自家曝光机比ASML猛 可生出7奈米芯片

俄罗斯宣称2028年将可推进7奈米制程。（示意图，彭博）

俄罗斯嫌弃中国芯片故障率高达40%后，喊话要迈向半导体自主道路。全球知名硬体网站《Tom's Hardware》报道，俄罗斯科学院发豪语2028年自行研发的曝光机将问世，比 ASML 的 Twinscan NXT:2000i DUV更厉害，可生产出7奈米芯片。

《Tom's Hardware》提及台湾跟进国际制裁，对俄罗斯断供后，造成俄国芯片短缺，加以美国、英国和欧盟也祭出多项制裁，几乎所有拥有先进晶圆制造商都停止与俄罗斯实体合作，ARM 也无法将他们的技术授权给俄罗斯的芯片设计师。

为此，俄罗斯政府推出一项国家计划，靠著对外国芯片进行逆向工程，并培养当地半导体人才，希望 2030 年开发28奈米制程。

不过，碍于国际制裁，美欧半导体设备商不能供应俄罗斯，若俄国推进 28奈米制程，就必须设计和研发出国产设备。只是，像ASML 和 应材（Applied Materials） 这样的公司，得耗费几十年时间开发，更新迭代也必须在大约8年内完成。

但是，俄罗斯似乎一点也不担心，俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构（Novgorod Strategy Development） 发豪语，宣称俄罗斯科学院旗下应用物理研究所将会跌破所有人眼镜，在2028年开发出可以生产7奈米芯片的曝光机，还可击败ASML同类产品，那就是ASML Twinscan NXT:2000i DUV。

俄罗斯科学院奈米结构研究所副所长 Nikolai Chkhalo 表示，全球曝光机领导者 ASML 近 20 年来一直致力于EUV 曝光机，目标是让世界顶尖半导体厂商保持极高的生产效率。但俄罗斯并不需要，只要根据俄罗斯国内的需求向前推进即可。

俄罗斯的想法似乎太过天真，报道直言，俄罗斯想在6年内研发出可支持7奈米芯片的曝光机，可行性不高，且晶圆厂并非光靠曝光机就可生产出芯片，还需要许多设备，而俄罗斯并不生产这些设备。