中国存储芯片加速追赶 快闪记忆体技术只差韩2年

近年来全球记忆体半导体市场的局势逐渐发生变化，韩国两大记忆体巨头三星和SK海力士正面临来自中国厂商的激烈竞争，感受到更大的竞争压力，技术差距也在不断缩小。

韩媒指出，目前中国NAND快闪记忆体与韩企的差距已缩短至2年，双方差距正在快速地消失中。

据《超能网》引述《韩国商业》（Business Korea）报道，韩国存储芯片业内人士透露，随著中国加大了对记忆体半导体行业的投入，经过了多年的发展，目前与世界领先企业的NAND快闪记忆体技术差距已缩短到2年左右。

不过DRAM仍保持原有的距离，技术差距大概在5年。

报道分析说，其中主要原因在于NAND快闪记忆体技术的壁垒相对低一些，使得追赶的速度更快，而且中国追赶速度不断加快，因此差距缩小得更为明显。

在韩国专家看来，这是一个危险的信号，因为中国企业进步太快，很快就会对韩国存储芯片业的优势构成威胁。

报道指出，大陆最大的记忆体半导体企业长江存储在2022年快闪记忆体峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第4代3D TLC快闪记忆体芯片，名为X3-9070。长江存储也领先于三星和SK海力士，实现了更高层数的NAND快闪记忆体芯片的量产，回击了外界质疑的声音。

韩媒分析称，去年一年里，中国存储芯片业者来自中国政府与官方主导投资基金投入近500亿人民币，持续且大量的资金投入支援确实能取得效果，一方面是技术的追赶，另一方面是更快的市场渗透。

韩媒提出警告称，目前中国长江存储NAND快闪记忆体与韩企的差距已缩短至2年，双方差距正在快速地消失中。

报道表示，随着半导体电路小型化逼近极限，中国可能会抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进封装技术。这种高性能、多芯片的封装被视为突破半导体小型化限制的关键。目前中国大陆是全球第二大封装技术市场，有著较为完善的生态系统，长电科技、通富微电和华天科技都进入了全球10大半导体封装企业的前10名，而韩国没有一间公司出现在榜单上。

陆媒《快科技》也指出，前不久美国加州法院判决长江存储控告美光科技及全资子公司美光消费产品公司侵犯其专利。

长江存储在诉状中示，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。报道说，这等于是直接展示了中国厂商在NAND快闪记忆体上突飞猛进的进步成果。