突破美制裁 长鑫存储展示新技术 适用3奈米芯片

中国记忆体DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT），在旧金山举行的第69 届IEEE 国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端3奈米级芯片。

南华早报报道，虽然长鑫存储尚未提供样品产品，但这家公司提供的下一代记忆体芯片生产的证据，引起了行业分析师的关注，因为此类芯片的设计通常涉及受美国出口限制的技术。

台湾华邦电子的储存芯片专家Frederick Chen 表示，长鑫存储的进展证据“令人印象深刻”，因为代表这家公司距离最先进的研究和技术并不遥远。“因为三星电子正在尝试做同样的事情。”

长鑫存储发表声明称，该论文“描述了与 DRAM 结构和 4F2 设计可行性相关的基础研究”，“与长鑫存储当前的生产工艺无关”，暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。

“任何关于长鑫存储违反美国制裁或出口管制的指控都是完全不准确的。”该公司的出口管制专家表示，“我们坚信，IEDM寻求促进的思想自由流动对于行业的创新和发展至关重要。”

长鑫存储两周前发布，已生产出中国首款低功耗双倍资料速率5（LPDDR5）DRAM芯片，缩小了与韩国三星和SK海力士等领先厂商的差距。

在与中国不断升级的科技战中，美国工业和安全局10月对关键芯片制造所需的一系列设备，设定了更高的出口标准，包括曝光、蚀刻、沉积、注入和清洁，加倍限制中国的芯片制造能力。

长鑫存储成立于2016年，代表中国在全球DRAM市场追赶韩国记忆体芯片巨头三星电子、SK海力士以及美国美光科技的最大希望。

中国记忆体DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT），展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于3奈米级芯片。图为长鑫存储合肥厂区外观。（长鑫存储官网）

总部位于旧金山的半导体研究公司SemiAnalysis 的首席分析师帕特尔（Dylan Patel）在X上的一篇帖子中，承认了CXMT 的论文，称该公司在最先进的晶体管架构方面取得的进展“打破了美国的制裁”。

Patel 强调了该论文的摘录，其中指出：“我们已经成功制造了环绕式闸极结构（GAA）电晶体，……并使用六角形电容器来实现紧凑的……DRAM架构。”

2022年8月，美国商务部对4项半导体相关技术实施出口管制，其中包括专门为开发具有环绕闸极场效电晶体（GAAFET）结构的积体电路（IC）而设计的软体。

这4种技术也受到1996年多边“瓦圣纳协定”的保护，中国不是该成员。

自实施管制以来，分析师表示，电子设计自动化（EDA）软体限制将影响中国开发先进3奈米制程设计和制造的能力。但中国已经证明了自己的韧性，华为技术公司今年稍早推出了支持5G 功能的Mate 60 Pro智慧型手机，采用中国国产芯片，令世界惊叹不已。

华盛顿邮报先前报道，长鑫存储也一直在开发高频宽记忆体（HBM）芯片，这种记忆体已越来越多地被人工智慧应用采用，以提高记忆体堆叠和处理器之间的资料传输速度。

GAA的研究可以追溯到2000年。GAA被认为对下一代逻辑芯片的开发非常重要，因为它可以实现晶体管的持续微缩，这代表在IC上封装更多的晶体管，这是台积电等全球代工厂领先的芯片制程，和三星的技术进一步低于3奈米。

三星去年6月宣布3奈米GAA技术量产，并号称3奈米GAA弯道超车台积电量产，至今已超过1年仍乏人问津，被外界嘲讽大客户方面不如台积电。

该技术需要专门的 EDA 软体，而中国在这一领域落后于全球同行。工程师需要此类软体来设计IC，该市场由美国公司 Cadence Design Systems、Synopsis 和 Mentor Graphics 主导。

与此同时，彭博引述知情人士的话报道，长鑫存储将推迟首次公开募股，并将考虑以约人民币1,400亿元（200亿美元）的估值筹集资金，成为最新一家被叫停的中国公司。由于市场状况波动而取消首次亮相。