年产2500吨 中国电子级多晶硅打破国外垄断

大陆官方报道证实，中国科学家已经制造出国产高纯电子级多晶硅产品——“黄河水电多晶硅”，打破国外垄断格局。

据介绍，多晶硅是微电子行业和光伏产业的“基石”，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。一般电子级硅要求含Si>99.9999%，电子级多晶硅则要求达到9个“9”以上。作为战略性原材料，电子级多晶硅的生产技术和市场长期由国外垄断，制约我国集成电路产业、新能源产业、新材料产业的发展。

据《中国能源报》报道，北京时间5月24日，中国国家电投黄河水电新能源分公司正式推出国产高纯电子级多晶硅产品——“黄河水电多晶硅”，实现了电子级多晶硅的“中国制造”，打破国外垄断格局。

据介绍，2012年，全球多晶硅产能达到25万吨、产量23.5万吨，中国产量为7.1万吨。到了2017年，全球产能达40万吨、产量38万吨，中国产量则达到21万吨。

从近十年的发展状况来看，虽然多晶硅在中国发展迅速，但高品质多晶硅仍然需要进口。进口数据中所有的分立器件、集成电路用多晶硅和高效光伏电池用多晶硅全部进口，中国国内高品质多晶硅缺口仍然巨大。

有专家研判，中国国内电子级多晶硅的需求是4,500吨/年。

据黄河公司新能源分公司总经理刘刚介绍，“黄河水电多晶硅”的研发工作正式开始于2006年，于2010年全面投产，形成的2,500吨高纯电子级多晶硅产能，填补了中国国内空白，目前国内市场占有率达10%。2015年，“黄河水电多晶硅”达到了中国当局“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”全部技术指标要求。

据介绍，“黄河水电多晶硅”采用改良西门子法，年产达2,500吨电子级多晶硅，实现完全闭路循环，节能低耗、安全环保，其氧含量<0.02ppma，碳含量<0.02ppma，受主杂质<0.03ppba，施主杂质<0.05ppba，基体总金属杂质<2ppbw，经第三方权威检测机构检测，产品质量与德国、日本知名多晶硅质量相当。

电子级多晶硅被视为发展集成电路产业的战略原材料。目前，中国半导体行业市场目前位居全球第一、增速也位居全球第一。但是，中国集成电路产业与先进产业国之间的差距较大，大尺寸晶圆的生产研发才刚刚起步，集成电路核心技术研发和关键元器件制造还面临巨大的挑战。

有观察指出，中国电子电子级多晶硅的研发生产虽然实现了局部突破，却不代表整个电子级多晶硅全产业链上的突破。以点带面，求得全面突破才是众望所归。