中国进军半导体记忆领域 3大阵营成形

根据全球市场研究机构TrendForce最新"中国半导体产业深度分析"报告指出，随着大陆挟带着庞大的资金与地方政府的资源进军半导体中的记忆体领域，包含晋华电子、合肥长鑫与紫光集团在内的3大阵营已成形。

TrendForce指出，大陆记忆体产业的发展，尽管早期如紫光集团与美光洽谈技术合作无疾而终，或是并购相关技术母厂多失败收场，但大陆积极吸收专业人才，无论是台湾地区的建厂人才，或是日韩的技术人才皆为大陆半导体厂目标，并且从技术授权转为自主研发，处处可见进军记忆体的强烈决心。

两大阵营抢布局DRAM

从记忆体中的DRAM产业来看，大陆在发展记忆体领域中的策略上已有逐步收敛之势，并非杂乱无章。以技术布局的角度观察，大陆DRAM领域中除了绘图用记忆体未有厂商布局，其他都有厂商按照计划发展中。

大陆DRAM产业目前已有晋华电子、合肥长鑫两大阵营。晋华电子专注利基型记忆体开发，主攻消费型电子市场，有望凭藉大陆本有的庞大内需市场壮大自身产能，甚至在补贴政策下，预估最快2018年底可能将扰乱国际大厂在中国市场的销售策略，并且有机会取得技术IP走向国际市场。

相较于晋华电子避开国际大厂的主力产品，合肥长鑫直捣国际大厂最核心的行动式记忆体产品。行动式记忆体已是记忆体类别中占比最高的产品，其省电技术要求极高，开发难度相当高。然而，大陆品牌手机出货已占全球逾4成，倘若LPDDR4能顺利量产并配合补贴政策，大陆政府进口取代的策略即可完成部分阶段性任务。

长江存储攻NAND Flash

观察大陆在NAND Flash领域的发展，以紫光集团旗下的长江存储为大陆最快成军的开发厂商，初期也将以大陆内需市场的布局为主。由于长江存储开发早期技术力不足，难以与一线大厂相抗衡，预估其初期产品会以卡碟类为大宗。

而武汉新芯随着长江存储的成立后，将专注于NOR Flash的开发，虽然长江存储的NAND Flash试产线暂放在武汉新芯，但随着长江存储于武汉未来城基地建构完成后，未来也将各自独立。

TrendForce指出，大陆发展记忆体的策略能否成功，未来的3至5年将是极其重要的关键期，特别是强化IP的布局，大陆政府以及厂商未来必须凭藉内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水准的产能，取得与国际厂商最有利的谈判筹码，才有机会占有一席之地。