不畏美国制裁 长江存储加速转用中国产半导体

图为位于湖北的长江存储公司。新华社

据世界日报综合报道，半导体专业分析机构TechInsights称，在美国于2022年10月限制先进半导体设备对华出口，并于2022年底将中国3D NAND Flash制造商长江存储列入实体清单近两年之后，长江存储仍在稳步发展，并已成功采用中国国产半导体设备取代了部分美系半导体设备。

彭博报导称，长江存储已转向境内的半导体设备应商，例如专门从事蚀刻设备的中微公司（AMEC）、专注于沉积和蚀刻设备的北方华创（Naura）、沉积设备供应商拓荆科技（Piotech）。

TechInsights称，虽然长江存储仍继续依赖艾司摩尔（ ASML ）和科林集团（Lam Research）等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

近年来，长江存储推出了具有232层和高速介面的 Xtacking 3.0 和 Xtacking 4.0 架构，能够与美光、三星和 SK 海力士等全球领导者进行竞争，并具有足够的竞争力，可以为世界上一些最好的 SSD 提供支持。

尽管取得了这些进展，但长江存储仍面临技术障碍。最新使用中国国产半导体设备生产的3D NAND晶片比早期版本少了 70 层，而层数的减少主要因为使用中国国产设备导致制造过程中缺陷增多、良率降低。

不过，长江存储透过电子邮件回应称，正在不断提高产品性能，最新设备中层数的变化与任何特定设备的产量无关。

可以肯定的是，随着中国国产设备制造的3D NAND 的缺陷数量减少和良率提升，预计长江存储将持续增加中国国产设备制造的3D NAND 的层数。

值得注意的是，长江存储最近甚至签署了一项协议，为美国Patriot Memory 的一款高阶PCIe Gen5x4 SSD提供 3D NAND，该 SSD 承诺以低价格提供高性能。

为了反击来自美方的持续打压，长江存储正透过将美国竞争对手美光科技告上法院，来维护自身利益。

今年7月，长江存储在美国加州北部地方法院，再度对美光提告，指控这家美国公司侵犯11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的记忆体产品，同时支付专利使用费。

而在更早之前的2023年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院，对美光及子公司美光消费类产品事业部提告，指控它们侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

此外，今年6月，长江存储还在美国加州北区联邦地区法院提告，指控受美光资助的丹麦谘询公司Strand Consult及其副总裁雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。